Semiconductor laser
文献类型：专利
| 作者 | EBELING, KARL JOACHIM |
| 发表日期 | 2004-12-07 |
| 专利号 | US6829283 |
| 著作权人 | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| 国家 | 美国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | Semiconductor laser |
| 英文摘要 | A semiconductor laser (100) comprises, in succession, a first reflector (102), a first optically active region (104), which can emit light of a first wavelength (lambda1), a second reflector (107), a second optically active region (110), which can emit light of a second wavelength (lambda2), which is shorter than the first wavelength (lambda1), and a third reflector (112), wherein the two optically active regions (110, 112) are able to emit their light on a common optical axis (118) in a common emission direction (119). |
| 公开日期 | 2004-12-07 |
| 申请日期 | 2002-09-25 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/84545]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | EBELING, KARL JOACHIM. Semiconductor laser. US6829283. 2004-12-07. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。