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半導体発光素子の製造方法

文献类型:专利

作者廣谷 真澄
发表日期1999-09-17
专利号JP1999251629A
著作权人大同特殊鋼株式会社
国家日本
文献子类发明申请
其他题名半導体発光素子の製造方法
英文摘要【課題】LEDやLD等の半導体発光素子を製造するに際して、光取出面に好適な荒れ面を再現性よく形成する方法を提供する。 【解決手段】LEDを製造するに際して、エッチング処理工程において、光取出面を硝酸および酢酸を含むエッチング液でエッチング処理することにより、その光取出面が所定粗さに加工される。そのため、酢酸が減速剤として機能することから、硝酸を含むエッチング液によるエッチング速度がその酢酸の混合割合に応じて低下させられる。このとき、水で希釈した場合のようなエッチング速度の低下に伴う凹凸の微小化は生じ難い。したがって、エッチング速度を十分に低下させ且つ十分な大きさの凹凸を形成し得るため、光取出面に好適な荒れ面を再現性よく形成して光出力を向上させることができる。
公开日期1999-09-17
申请日期1998-02-27
状态失效
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/84556]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位大同特殊鋼株式会社
推荐引用方式
GB/T 7714
廣谷 真澄. 半導体発光素子の製造方法. JP1999251629A. 1999-09-17.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

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