半導体レーザ装置
文献类型：专利
| 作者 | 福島 正憲; 石田 昌宏 |
| 发表日期 | 2009-08-06 |
| 专利号 | JP2009176837A |
| 著作权人 | PANASONIC CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置 |
| 英文摘要 | 【課題】効率よく高次モード光を抑制し、活性層からの放射光の遠視野像に乱れがない半導体レーザ装置を提供する。 【解決手段】InGaN多重量子井戸層106と、InGaN多重量子井戸層106上方に位置し、表面に平坦部114およびリッジ111を有するp型AlGaNクラッド層109と、リッジ111の側面および平坦部114と接するように位置するSiO2絶縁膜112を備え、SiO2絶縁膜112は、InGaN多重量子井戸層106からの放射光を吸収する微粒子を含む。 【選択図】図1 |
| 公开日期 | 2009-08-06 |
| 申请日期 | 2008-01-22 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/84557]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | PANASONIC CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 福島 正憲,石田 昌宏. 半導体レーザ装置. JP2009176837A. 2009-08-06. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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