半導体レーザ素子の製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 行谷 武 |
| 发表日期 | 1994-03-29 |
| 专利号 | JP1994090064A |
| 著作权人 | FURUKAWA ELECTRIC CO LTD:THE |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ素子の製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 埋め込み層の歪みを除去して信頼性を向上させる半導体レーザ素子の製造方法を提供する。 【構成】 第1導電型化合物半導体基板11面上に、第1導電型化合物半導体クラッド層12、活性層13および第2導電型化合物半導体クラッド層14が順次積層されたまたは方向のメサストライプ形状部を形成し、次いで、有機金属気相成長(MOCVD)法により、メサストライプ形状部側面を上端部分を残して第2導電型化合物半導体電流阻止層15、第1導電型化合物半導体電流阻止層16で順次埋め込み、次いで、第2導電型化合物半導体クラッド層17を積層する。 |
| 公开日期 | 1994-03-29 |
| 申请日期 | 1992-09-07 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/84561]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | FURUKAWA ELECTRIC CO LTD:THE |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 行谷 武. 半導体レーザ素子の製造方法. JP1994090064A. 1994-03-29. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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