半導体レーザおよびその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 堀江 秀善; 太田 弘貴; 藤森 俊成 |
| 发表日期 | 1998-08-21 |
| 专利号 | JP1998223978A |
| 著作权人 | MITSUBISHI CHEM CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザおよびその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 高出力、長寿命で、無効電流によるロス等の問題のない半導体レーザを、工業的有利に提供する。 【解決手段】 半導体基板上に第一導電型クラッド層、量子井戸を含む活性層および第二導電型クラッド層を有する半導体レーザにおいて、共振器を形成する少なくとも一つの端面に25eV以上300eV以下のエネルギーを有するAr、N2等のプラズマを当該端面側から照射してなる半導体レーザ、並びに半導体基板上に第一導電型クラッド層、量子井戸を含む活性層および第二導電型クラッド層を有する半導体レーザの製造方法において、該半導体基板上に該第一導電型クラッド層、量子井戸を含む活性層および第二導電型クラッド層を形成した後、共振器を形成する少なくとも一つの端面に25eV以上300eV以下のエネルギーを有するAr、N2等のプラズマを当該端面側から照射することを特徴とする半導体レーザの製造方法。 |
| 公开日期 | 1998-08-21 |
| 申请日期 | 1997-12-04 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/84562]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | MITSUBISHI CHEM CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 堀江 秀善,太田 弘貴,藤森 俊成. 半導体レーザおよびその製造方法. JP1998223978A. 1998-08-21. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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