半導体分布帰還型レーザ装置
文献类型：专利
| 作者 | 多田 邦雄; 中野 義昭; 井上 武史; 中島 眞一 |
| 发表日期 | 2000-01-28 |
| 专利号 | JP3027044B2 |
| 著作权人 | 光計測技術開発株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半導体分布帰還型レーザ装置 |
| 英文摘要 | 【目的】 活性層の発生した誘導放出光をその光軸方向に周期的に吸収する光吸収層が設けられた半導体分布帰還型レーザ装置において、光吸収層の吸収飽和を制御できるようにする。 【構成】 光吸収層6に接してp型層7とn型層5とを設け、これらの間に、活性層への電流注入に伴うバイアス電圧とは別のバイアス電圧を印加する。 |
| 公开日期 | 2000-03-27 |
| 申请日期 | 1991-12-17 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/84564]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 光計測技術開発株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 多田 邦雄,中野 義昭,井上 武史,等. 半導体分布帰還型レーザ装置. JP3027044B2. 2000-01-28. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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