窒化物半導体レーザ装置
文献类型：专利
| 作者 | 佐藤 智也; 高山 徹; 粂 雅博; 木戸口 勲 |
| 发表日期 | 2009-12-03 |
| 专利号 | JP2009283511A |
| 著作权人 | PANASONIC CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 窒化物半導体レーザ装置 |
| 英文摘要 | 【課題】垂直FFP形状を改善した窒化物半導体レーザ装置を提案する。 【解決手段】窒化物半導体レーザ装置は、GaN基板の上に形成されたn型InAlGaN光吸収層と、n型InAlGaN光吸収層の上に形成されたn型AlGaNクラッド層と、n型AlGaNクラッド層の上に形成されたInGaN活性層と、InGaN活性層の上に形成され、n型AlGaNクラッド層の屈折率よりも小さい屈折率を有するp型AlGaN層とを備える。 【選択図】図1 |
| 公开日期 | 2009-12-03 |
| 申请日期 | 2008-05-19 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/84565]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | PANASONIC CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 佐藤 智也,高山 徹,粂 雅博,等. 窒化物半導体レーザ装置. JP2009283511A. 2009-12-03. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。