光半導体装置
文献类型：专利
| 作者 | 上口 裕三; 平山 雄三; 佐橋 政司 |
| 发表日期 | 1998-12-04 |
| 专利号 | JP1998321964A |
| 著作权人 | 株式会社東芝 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 光半導体装置 |
| 英文摘要 | 【課題】 構成が単純で小型化が可能であり、しかも位相変調方式の光通信に適用できる高速な円偏光スイッチング特性を示す半導体レーザーを提供する。 【解決手段】 半導体活性層(13)がp型半導体クラッド層(12)とn型半導体クラッド層(11)とで挟まれた構造を有し、p型半導体クラッド層側にp型コンタクト層が、n型半導体クラッド層側にn型コンタクト層がそれぞれ形成されており、p型コンタクト層に接合する強磁性層(15a、15b)およびn型コンタクト層に接合する強磁性層(17a、17b)がそれぞれ2つずつ設けられ、上下で対向して対をなす強磁性層の磁化の向きが平行であり、隣接する強磁性層の磁化の向きが互いに反転している。 |
| 公开日期 | 1998-12-04 |
| 申请日期 | 1997-09-17 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/84570]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 株式会社東芝 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 上口 裕三,平山 雄三,佐橋 政司. 光半導体装置. JP1998321964A. 1998-12-04. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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