半導体発光素子及びその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 岡田 直子; 穴山 親志 |
| 发表日期 | 1993-11-05 |
| 专利号 | JP1993291683A |
| 著作权人 | FUJITSU LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体発光素子及びその製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】本発明は、利得導波型の可視光半導体レーザ及びその製造方法に関し、電流ブロック層で生じる漏れ電流を抑え、十分な電流狭窄が行える可視光半導体レーザ及びその製造方法を提供することを目的とする。 【構成】n-GaAs基板1上に、n-(Al0.7 Ga0.3 )0.5 In0.5 Pクラッド層2が形成されている。その上にはアンドープのn-Ga0.5 In0.5 P活性層3が形成され、その上にはp-(Al0.7 Ga0.3 )0.5 In0.5 Pクラッド層4が形成され、その上部は幅3μmのストライプ状に形成されたメサ形状であり、クラッド層4のメサ上部には、p-Ga0.5 In0.5 P層のスパイク防止層6が形成されている。このメサ形状の両側を埋め込むように、アンドープのn-Al0.5 In0.5 P層の電流ブロック層5がMOVPE法により基板温度690℃で形成されている。この電流ブロック層5により電流狭窄が行われる。 |
| 公开日期 | 1993-11-05 |
| 申请日期 | 1992-04-10 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/84574]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | FUJITSU LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 岡田 直子,穴山 親志. 半導体発光素子及びその製造方法. JP1993291683A. 1993-11-05. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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