半導体発光装置及びその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 雙田 晴久 |
| 发表日期 | 1993-06-11 |
| 专利号 | JP1993145187A |
| 著作权人 | FUJITSU LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体発光装置及びその製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】本発明は、簡単な構造で無効電流を抑制することにより、高出力化、温度特性の向上という性能向上を実現する半導体発光装置を提供することを目的とする。 【構成】GaInAsP活性層4がp型InPクラッド層6とn型InP基板2との間に埋め込まれたBH構造となっている。GaInAsP活性層4の両側面には、p型InPブロック層10とn型InPブロック層12とが形成され、逆バイアスが印加されるpnホモ接合をなしている。p型InPブロック層10とn型InP基板2との間には、フォトルミネッセンス波長λg=0〜6μmのGaInAsPキャリアブロック層14が形成され、ヘテロ接合をなしている。 |
| 公开日期 | 1993-06-11 |
| 申请日期 | 1991-11-20 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/84579]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | FUJITSU LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 雙田 晴久. 半導体発光装置及びその製造方法. JP1993145187A. 1993-06-11. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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