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面発光型半導体レーザ素子

文献类型:专利

作者濱 威; 椎名 泰一; 岩井 則広
发表日期2004-01-15
专利号JP2004014747A
著作权人FURUKAWA ELECTRIC CO LTD:THE
国家日本
文献子类发明申请
其他题名面発光型半導体レーザ素子
英文摘要【課題】長時間にわたり安定した光出力で動作する、信頼性の高い面発光型半導体レーザ素子を提供する。 【解決手段】面発光型半導体レーザ素子30は、n型GaAs基板31上に、順次に形成された、n型の下部半導体多層膜反射鏡32、下部クラッド層33、活性層34、上部クラッド層35、p型の上部半導体多層膜反射鏡36、及びp型GaAsキャップ層37を構成層として備える。構成層のうちの少なくとも一つの半導体層で、水素単体、水素と他の物質との化合物、及び水素と固有欠陥の複合体を含む水素濃度が、5×1018cm-3以下である。 【選択図】 図1
公开日期2004-01-15
申请日期2002-06-06
状态失效
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/84584]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位FURUKAWA ELECTRIC CO LTD:THE
推荐引用方式
GB/T 7714
濱 威,椎名 泰一,岩井 則広. 面発光型半導体レーザ素子. JP2004014747A. 2004-01-15.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

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