半導体光素子およびその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 鈴木 誠; 青木 雅博; 金武 達郎; 大平 昌輝 |
| 发表日期 | 1996-11-01 |
| 专利号 | JP1996288583A |
| 著作权人 | 株式会社日立製作所 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体光素子およびその製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】Inを含む混晶半導体層におけるIII族組成比の制御性を向上させて臨界膜厚の大きなコア層を成長し、高品質かつ高機能な光素子若しくは光集積素子を提供する。 【構成】光軸方向にマスク幅が部分的に変化している絶縁膜マスク(2´)および半導体マスク(3)が形成された半導体基板(1)を用い、基板(1)上における成長層の膜厚が、光軸方向に滑らかに変化するコア層(5)(6)および薄いクラッド層(10)を含む半導体層を形成する。 【効果】混晶半導体層におけるIII族組成比の制御性が向上して、臨界膜厚の大きな半導体結晶が得られ、高品質な光集積素子が得られる。 |
| 公开日期 | 1996-11-01 |
| 申请日期 | 1995-04-13 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/84585]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 株式会社日立製作所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 鈴木 誠,青木 雅博,金武 達郎,等. 半導体光素子およびその製造方法. JP1996288583A. 1996-11-01. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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