半導体レーザおよびその製法
文献类型：专利
| 作者 | 村山 実 |
| 发表日期 | 1999-07-30 |
| 专利号 | JP1999204877A |
| 著作权人 | ローム株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザおよびその製法 |
| 英文摘要 | 【課題】 ストライプのエッチング後の再成長時に、品質の良い結晶を再成長することができ、動作電圧が低い電気特性の優れた半導体レーザを得る。 【解決手段】 (a)基板1上にAlGaInP系化合物半導体からなり、ダブルへテロ接合を形成する第1導電形のクラッド層2、活性層3、第2導電形の下部クラッド層4、(Alx Ga1-x )0.51In0.49P(0.05≦x≦0.25)からなる第2導電形のエッチングストップ層5、GaAsからなる第1導電形の電流狭窄層6を順次エピタキシャル成長し、(b)前記電流狭窄層をエッチングしてストライプ溝6aを形成し、(c)前記半導体層が積層された基板を半導体層の成長室内に入れて、アルシンと水素との混合ガス雰囲気で650〜730℃まで昇温し、(d)成長室内の雰囲気ガスをホスフィンと水素との混合ガスに切り替えて反応ガスを導入し、さらに半導体層を積層する。 |
| 公开日期 | 1999-07-30 |
| 申请日期 | 1998-01-09 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/84588]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | ローム株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 村山 実. 半導体レーザおよびその製法. JP1999204877A. 1999-07-30. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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