半導体発光素子
文献类型：专利
| 作者 | 堂免 恵 |
| 发表日期 | 2005-09-09 |
| 专利号 | JP3716395B2 |
| 著作权人 | 富士通株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半導体発光素子 |
| 英文摘要 | 【課題】 半導体発光素子に関し、レーザ発振に必要なしきい値電流密度を低減する。 【解決手段】 基板1上に低温バッファ層2を設けるとともに、低温バッファ層2の直上に設ける成長層3をInGaN、AlInN、或いは、AlGaInNのいずれかとし、且つ、成長層3の格子定数を活性層5の格子定数より大きくする。 |
| 公开日期 | 2005-11-16 |
| 申请日期 | 1996-08-02 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/84594]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 富士通株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 堂免 恵. 半導体発光素子. JP3716395B2. 2005-09-09. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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