半導体発光素子
文献类型：专利
| 作者 | 長島 靖明; 下瀬 佳治; 山田 敦史; 菊川 知之 |
| 发表日期 | 2004-02-27 |
| 专利号 | JP3525257B1 |
| 著作权人 | アンリツ株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半導体発光素子 |
| 英文摘要 | 【課題】活性層への光閉じ込め係数を低くした場合でも、簡単な構成で高出力が得られ、モード変移が起こりにくい半導体発光素子を提供する。 【解決手段】InPからなる半導体基板11上に、多重量子井戸構造を含む活性層14と、その活性層14を挟むSCH層13、15と、SCH層13、15を挟むn型クラッド層32およびInPからなるp型クラッド層18とを設けた半導体レーザにおいて、n型クラッド層32を、p型クラッド層18より屈折率が大きいInGaAsPによって構成した。 【選択図】 図3 |
| 公开日期 | 2004-05-10 |
| 申请日期 | 2002-11-01 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/84601]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | アンリツ株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 長島 靖明,下瀬 佳治,山田 敦史,等. 半導体発光素子. JP3525257B1. 2004-02-27. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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