半導体発光素子
文献类型：专利
| 作者 | ラジェシュ·クマール; 久野 裕也; 竹内 聡 |
| 发表日期 | 2004-11-19 |
| 专利号 | JP3617129B2 |
| 著作权人 | 株式会社デンソー |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半導体発光素子 |
| 英文摘要 | 【課題】この発明は、高温動作に於いて活性層から電子がpクラッド層のオーバーフローを抑制すると共に、pクラッド層から活性層へのホール注入効率を阻害せず高温での光出力低下を抑えるために、活性層内に量子障壁層を設ける。 【解決手段】n型電極9を有したn型GaAs基板1上に、n型GaAsバッファ層2、n型クラッド層3、活性層4、p型クラッド層5、p型キャップ層6、SiO2層7及びp型電極8が形成される。そして、活性領域11側にリッジ領域10が形成され、活性領域11及び吸収領域12の端面に反射防止膜13が形成される。上記活性層4は、障壁層4a11及び4a12間に、井戸層4b11、4b12、4b13と、4b21、4b22、4b23、4b24と、4b31、4b32、4b33と、障壁層4a21、4a22と、障壁層4a31、4a32、4a33、4a34、4a35と、障壁層4a23、4a24とが積層されて構成される。 |
| 公开日期 | 2005-02-02 |
| 申请日期 | 1995-07-05 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/84602]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 株式会社デンソー |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | ラジェシュ·クマール,久野 裕也,竹内 聡. 半導体発光素子. JP3617129B2. 2004-11-19. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。