半導体レーザ装置
文献类型:专利
作者 | 田辺 哲弘 |
发表日期 | 2000-01-21 |
专利号 | JP2000022262A |
著作权人 | ローム株式会社 |
国家 | 日本 |
文献子类 | 发明申请 |
其他题名 | 半導体レーザ装置 |
英文摘要 | 【構成】 上部電極28と第2上部クラッド層30との間に形成された絶縁膜34が上部電極28から光導波路18aの端部へ向かう電流を阻止するため、光導波路18aの端部には電流が付与されない。したがって、この端部すなわち電流非注入領域18bではジュール熱による温度上昇はなく、その温度上昇に伴うバンドギャップの縮小も生じない。 【効果】 光導波路18aの端部におけるバンドギャップの縮小を防止でき、レーザ光の吸収に伴う発熱による瞬時光損傷(COD)を防止できる。また、発光効率の低下や製造工程の複雑化を防止できる。 |
公开日期 | 2000-01-21 |
申请日期 | 1998-06-29 |
状态 | 失效 |
源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/84613] ![]() |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | ローム株式会社 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 田辺 哲弘. 半導体レーザ装置. JP2000022262A. 2000-01-21. |
入库方式: OAI收割
来源:西安光学精密机械研究所
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