半導体レーザ素子およびその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 松原 邦雄 |
| 发表日期 | 1998-09-02 |
| 专利号 | JP1998233547A |
| 著作权人 | 富士電機株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ素子およびその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】第3クラッド層のストライプと電流狭窄層との界面に結晶欠陥が少なく、信頼性の高い半導体レーザ素子とその製造方法を提供する。 【解決手段】第1導電型のGaAs基板1の一主面上に、第1導電型のAlxGa1-x Asの組成の第1クラッド層2、Aly Ga1-y Asの組成の活性層3、第2導電型のAlx Ga1-x Asの組成の第2クラッド層4、第2導電型のGaAsのキャップ層5、第1導電型のレーザ光軸と平行に2つの区域に分割されているAlw Ga1-w Asの組成の電流狭窄層6、第2導電型のAlx Ga1-x Asの組成の第3クラッド層7、第2導電型のGaAsのコンタクト層8が順に積層されてなり、第3クラッド層の電流狭窄層に挟まれた部分をストライプSとするAlGaAs系の半導体レーザ素子において、前記ストライプの前記電流狭窄層との界面のストライプ内の角度をキャップ層面に対して鈍角とする。 |
| 公开日期 | 1998-09-02 |
| 申请日期 | 1997-02-19 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/84616]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 富士電機株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 松原 邦雄. 半導体レーザ素子およびその製造方法. JP1998233547A. 1998-09-02. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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