半導体レーザ
文献类型：专利
| 作者 | 福久 敏哉; 古川 秀利 |
| 发表日期 | 2008-11-06 |
| 专利号 | JP2008270588A |
| 著作权人 | MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ |
| 英文摘要 | 【課題】n型クラッド層を一部無秩序化してバンドギャップ、ひいては屈折率の変動を抑制し、安定した拡がり角が得られる半導体レーザを実現する。 【解決手段】基板101上に、n型クラッド層102,103と活性層104とp型クラッド層105とを設け、n型クラッド層102,103における第一n型クラッド層102にドーパントとしてSiとZnとを含ませ、かつ第一n型クラッド層102の厚さを0.1μm以上とし、かつ活性層104の中心から第一n型クラッド層102までの最短距離を0.5μm以下とし、かつ基板101の基板傾斜角度を0°〜15°とする。 【選択図】図1 |
| 公开日期 | 2008-11-06 |
| 申请日期 | 2007-04-23 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/84621]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 福久 敏哉,古川 秀利. 半導体レーザ. JP2008270588A. 2008-11-06. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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