半導体レーザおよびその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 森 義弘; 大塚 信之; 鬼頭 雅弘 |
| 发表日期 | 1994-07-15 |
| 专利号 | JP1994196820A |
| 著作权人 | MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザおよびその製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 0.98μm帯半導体レーザで、高出力化のために活性層幅を広げても容易に基本モードが維持される構造を、Alを含む層を一切使わずに作る。 【構成】 活性層104上の第1光閉じ込め層105上に、薄いGaInPより成るエッチングストップ層106がある。その上にInGaAsP106の第2の光閉じ込め層107とGaInPのクラッド層より成るメサがあり、メサの側面とエッチングストップ層106を覆うようにGaInPの電流阻止層がある。InGaAsPはGaInPより僅かに屈折率が高いだけなので、メサ幅を広くして高出力化を図っても基本横モードが維持できる。また、メサのエッチング工程に全て選択エッチングが使える。結晶成長される面にAlは全く無く、Asの量も微量なので、昇温時には、燐化合物のみを雰囲気中に入れるだけで、V属原子の気化を防ぐことが出来る。良好な結晶成長界面が得られるので、高い信頼性が得られる。 |
| 公开日期 | 1994-07-15 |
| 申请日期 | 1992-12-24 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/84623]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 森 義弘,大塚 信之,鬼頭 雅弘. 半導体レーザおよびその製造方法. JP1994196820A. 1994-07-15. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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