半導体レーザ素子
文献类型：专利
| 作者 | 北村 智之; 浜口 雄一; 平田 照二 |
| 发表日期 | 2001-02-09 |
| 专利号 | JP2001036193A |
| 著作权人 | SONY CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ素子 |
| 英文摘要 | 【課題】 NFPを安定させる構成を備えた半導体レーザ素子を提供する。 【解決手段】 本半導体レーザ素子10は、基板12上に、第1バッファ層14、第2バッファ層16、n型クラッド層18、活性層/ガイド層20、p型クラッド層22、及びp型キャップ層24のダブルヘテロ接合積層構造を備える。p型クラッド層22の上部及びp型キャップ層24は、ストライプ幅Wが100μmのリッジ状ワイドストライプとして形成され、リッジ状ワイドストライプの両側は電流非注入領域26となっている。p型キャップ層24の上層には、細い帯状の電流非注入領域28が、複数本、電流非注入領域26との境界線に平行な方向に延在している。本半導体レーザ素子10では、電流注入時、ストライプ内に設けられた電流非注入領域28の直下の活性層20内の部分34のキャリア密度が、それ以外の部分のキャリア密度より低い。これにより、活性層20内に利得分布が生じ、横モードが閉じ込められることになるので、NFPが安定する。 |
| 公开日期 | 2001-02-09 |
| 申请日期 | 1999-07-19 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/84624]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | SONY CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 北村 智之,浜口 雄一,平田 照二. 半導体レーザ素子. JP2001036193A. 2001-02-09. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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