半導体発光素子及びその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 中津 弘志; 佐々木 和明; 山本 修; 山本 三郎 |
| 发表日期 | 1998-11-27 |
| 专利号 | JP2856374B2 |
| 著作权人 | シャープ株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半導体発光素子及びその製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 上部電極の直下の活性層に電流阻止層を1回のエピタキシャル成長時に選択的に形成し、工程を単純化して生産性を良くしコスト安に製造する。また、再結晶準位を少なくして結晶性をよくすることにより発光効率を高くし、高抵抗層の生成を防ぎ発光ダイオードの特性を改善する。 【構成】 エピタキシャル成長時に外部から光を選択的に照射して、活性層13の上方または下方の電流拡散層15にPN反転を起させ、上部電極17の直下部分に電流阻止部20aを形成し、直下部分以外の領域に電流通過部20bを選択的に形成する。 |
| 公开日期 | 1999-02-10 |
| 申请日期 | 1992-02-24 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/84625]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | シャープ株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 中津 弘志,佐々木 和明,山本 修,等. 半導体発光素子及びその製造方法. JP2856374B2. 1998-11-27. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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