半導体レーザおよびその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 須郷 満; 西谷 昭彦; 伊賀 龍三; 竹下 達也 |
| 发表日期 | 1999-01-06 |
| 专利号 | JP1999004042A |
| 著作权人 | NIPPON TELEGR & TELEPH CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザおよびその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 容易に高精度なリッジ構造が実現できる半導体レーザと、レーザの端面近傍に堆積された絶縁膜から発生する応力分布によって活性層内に転位欠陥が発生し、ダークライン劣化などがおこる欠点のない信頼性の高い半導体レーザの製造方法を提供する。 【解決手段】 本発明に係る半導体レーザは、n+ - GaAs基板1上に、順次n -GaAsバッファ層2、n -Aly Ga1-y Asクラッド層3、n -AlzGa1-z Asガイド層4、n -AlGaAsSCH層5、InGaAs歪量子井戸活性層6、p -AlGaAsSCH層7、p -Alz Ga1-z Asガイド層8、p -Aly Ga1-y As第1クラッド層9、p -Alx Ga1-x Asエッチング停止層10、p -Aly Ga1-y As第2クラッド層11、p+ - GaAsコンタクト層12、Alx Ga1-x Asサイドエッチング防止層13を形成してなるものである。 |
| 公开日期 | 1999-01-06 |
| 申请日期 | 1997-06-10 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/84639]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | NIPPON TELEGR & TELEPH CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 須郷 満,西谷 昭彦,伊賀 龍三,等. 半導体レーザおよびその製造方法. JP1999004042A. 1999-01-06. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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