半導体発光素子
文献类型：专利
| 作者 | 内田 憲治; 後藤 順; 五島 滋雄; 丹羽 敦子 |
| 发表日期 | 2000-12-08 |
| 专利号 | JP2000340841A |
| 著作权人 | 株式会社日立製作所 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体発光素子 |
| 英文摘要 | 【課題】窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の発光効率及び信頼性を向上させること。 【解決手段】窒化ガリウム系化合物半導体により構成され、活性層106の発光領域の上部に位置するp型電極111と、その下部が接するp型Al0.1Ga0.9Nクラッド層107とを有し、p型電極111の一部分とp型Al0.1Ga0.9Nクラッド層107との間にSiO2膜からなる電極金属拡散防止用の誘電体膜110を配置した半導体発光素子。 |
| 公开日期 | 2000-12-08 |
| 申请日期 | 1999-05-27 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/84640]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 株式会社日立製作所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 内田 憲治,後藤 順,五島 滋雄,等. 半導体発光素子. JP2000340841A. 2000-12-08. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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