半導体レーザの製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 渡辺 幸雄; 岡島 正季; 波多腰 玄一 |
| 发表日期 | 1999-04-16 |
| 专利号 | JP2914711B2 |
| 著作权人 | 株式会社東芝 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半導体レーザの製造方法 |
| 英文摘要 | PURPOSE:To form a stripe having a plurality of stages by single photoresist processing by forming a heterogeneous layer between a region for forming difference in refractive index and a region for narrowing current and etching them with different kinds of etchant respectively. CONSTITUTION:An n-InGaP buffer layer 12, an n-In0.5(Ga0.3Al0.7)0.5P clad layer 13, an InGaP active layer 14, a p-In0.5(Ga0.3Al0.7)0.5P clad layer 15, a p-InGaP etching stop layer 16, a p-In0.5(Ga0.3Al0.7)0.5P clad layer 17, an n-InGaP heterogeneous layer 18 and an n-GaAs current preventing layer 19 are formed on an n- GaAs substrate 1 A resist mask 20 having a stripe opening is formed on the layer 19. Then SH etching solution is used to etch the layer 19 in stripes. Then etchant of hydrogen bromide is used to etch the layer 18 and hot sulfuric acid is used to etch the layer 17. A p-In0.5(Ga0.5al0.5)0.5P coating layer 21, a p-In0.5(Ga0.3 Al0.7)0.5P coating layer 22, a p-InGaP intermediate band gap layer 23, a p-GaAs contact layer 24 and electrodes 25, 26 are formed. |
| 公开日期 | 1999-07-05 |
| 申请日期 | 1990-03-30 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/84641]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 株式会社東芝 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 渡辺 幸雄,岡島 正季,波多腰 玄一. 半導体レーザの製造方法. JP2914711B2. 1999-04-16. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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