半導体光集積素子
文献类型：专利
| 作者 | 田中 信介; 森戸 健 |
| 发表日期 | 2008-08-28 |
| 专利号 | JP2008198944A |
| 著作权人 | 富士通株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体光集積素子 |
| 英文摘要 | 【課題】互いに等価屈折率の異なる異種の光導波路間における光信号の反射を生ぜしめることなく、光結合における反射損失及び放射損失の発生を可及的に抑止し、極めて良好な光結合特性を得ることができる信頼性の高い半導体光集積素子を実現する。 【解決手段】単一の半導体基板1上に互いに等価屈折率の異なる第1の光導波路2と第2の光導波路3とが並列配設されており、両者の光導波路2,3間における光結合を行う方向性結合器が構成される。第1の光導波路2を伝播してきた第1の光導波モードM1の光信号は、両者の光導波路2,3が平行に隣接する方向性結合器領域4内で生ずる光導波モードの変換作用により、第2の光導波路3を伝播する、第1の光導波モードM1と異なる第2の光導波モードM2にほぼ完全に変換され、出力される。 【選択図】図1 |
| 公开日期 | 2008-08-28 |
| 申请日期 | 2007-02-15 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/84655]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 富士通株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 田中 信介,森戸 健. 半導体光集積素子. JP2008198944A. 2008-08-28. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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