半導体発光素子
文献类型：专利
| 作者 | 東條 剛; 小沢 正文; 池田 昌夫 |
| 发表日期 | 1997-06-24 |
| 专利号 | JP1997167879A |
| 著作权人 | ソニー株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体発光素子 |
| 英文摘要 | 【課題】 長寿命かつ高信頼性のII-VI族化合物半導体を用いた半導体発光素子を提供する。 【解決手段】 p型GaAs基板1上にストライプ形状のp型GaAs電流狭窄領域2を形成し、その両側をはさむようにn型GaAs層3を設けて電流狭窄構造を形成する。p型GaAs電流狭窄領域2およびn型GaAs層3の表面はほぼ平坦でかつ同一平面上にあるようにする。p型GaAs電流狭窄領域2およびn型GaAs層3の上に、p型GaAs層4、p型GaInP層5およびp型AlInP層6を介して、p型ZnSeバッファ層7、p型ZnSSeバッファ層8、p型ZnMgSSeクラッド層9、p型ZnSSe光導波層10、ZnCdSe活性層11、n型ZnSSe光導波層12、n型ZnMgSSeクラッド層13、n型ZnSSe層14およびn型ZnSeコンタクト層15を順次積層してレーザー構造を形成する。 |
| 公开日期 | 1997-06-24 |
| 申请日期 | 1995-12-14 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/84662]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | ソニー株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 東條 剛,小沢 正文,池田 昌夫. 半導体発光素子. JP1997167879A. 1997-06-24. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。