半導体レーザ
文献类型：专利
| 作者 | 中野 一志; 冨谷 茂隆 |
| 发表日期 | 1995-10-20 |
| 专利号 | JP1995273397A |
| 著作权人 | SONY CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ |
| 英文摘要 | 【目的】 エピタキシャル成長半導体に周期的凹凸すなわちうねりが発生しても、内部損失の発生を効果的に回避する。 【構成】 (001)結晶面による化合物半導体基板1の1の面上に、II-VI 族化合物半導体のエピタキシャル成長層による少なくともクラッド層例えば第1のクラッド層11および第2のクラッド層12と、活性層13を有する半導体レーザにおいて、その共振器長方向を〔1-10〕軸方向とする。 |
| 公开日期 | 1995-10-20 |
| 申请日期 | 1994-03-30 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/84666]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | SONY CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 中野 一志,冨谷 茂隆. 半導体レーザ. JP1995273397A. 1995-10-20. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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