半導体レーザ素子
文献类型：专利
| 作者 | 田中 俊明; 内田 憲治; 渡辺 明禎; 赤松 正一; 皆川 重量 |
| 发表日期 | 1997-02-07 |
| 专利号 | JP1997036473A |
| 著作权人 | 株式会社日立製作所 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ素子 |
| 英文摘要 | 【目的】 本発明の目的は、室温において青紫色波長領域のレ-ザ動作を行う半導体レーザ素子を提供することにある。 【構成】 絶縁膜マスク4を用いて選択成長を行うことにより、Nitride材料からなる導波路ストライプを(0001)C面サファイア基板の(11-20)A面に平行な方向に形成する。このとき、絶縁膜SiO2マスク4の間隔W1を1〜2μm範囲とし、マスク幅W2を5〜30μm範囲に設けた。次に、絶縁膜でカバ-し、リソグラフィ-により、p及びn電極を蒸着する。この後、劈開スクライブする。 【効果】 本発明によれば、断面形状を矩形状に制御した低損失の光導波路層を作製でき、さらに実屈折率差によって基本横モ-ドが安定に導波される横モ-ド制御型BH構造が実現できる。本素子は室温において発振し、発振波長410〜430nmの範囲であった。 |
| 公开日期 | 1997-02-07 |
| 申请日期 | 1995-07-14 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/84677]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 株式会社日立製作所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 田中 俊明,内田 憲治,渡辺 明禎,等. 半導体レーザ素子. JP1997036473A. 1997-02-07. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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