半導体レーザ
文献类型：专利
| 作者 | 吉田 伊知朗; 勝山 造; 橋本 順一 |
| 发表日期 | 1998-08-07 |
| 专利号 | JP2812069B2 |
| 著作权人 | 住友電気工業株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半導体レーザ |
| 英文摘要 | 【目的】 駆動時の熱クロストーク(相互熱干渉)を抑制する構造のマルチビーム半導体レーザを提供する。 【構成】 熱抵抗の低いGaAs基板10上に、第一のクラッド層12、活性層13、第二のクラッド層14を少なくともこの順に成長させ、独立駆動構造の二つのレーザ共振器を形成するとともに、電流ブロック層16を、熱抵抗の高いSi3 N4 、SiO2 などの誘電体、またはAlInP、AlGaInPなどの混晶にて形成し、従来のGaAs混晶より熱抵抗を大にした。 |
| 公开日期 | 1998-10-15 |
| 申请日期 | 1992-06-09 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/84680]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 住友電気工業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 吉田 伊知朗,勝山 造,橋本 順一. 半導体レーザ. JP2812069B2. 1998-08-07. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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