半導体層の作製方法及びそれを用いた半導体装置の製造方法
文献类型：专利
| 作者 | カシミルス·セティアグン; 清水 均 |
| 发表日期 | 2005-03-17 |
| 专利号 | JP2005072208A |
| 著作权人 | FURUKAWA ELECTRIC CO LTD:THE |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体層の作製方法及びそれを用いた半導体装置の製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 半導体層の面内均一性を向上させ、歩留まりに優れた半導体装置の製造方法を提供する。 【解決手段】 分子線エピタキシー法またはガスソース分子線エピタキシー法によりウエハ上に半導体層を作製する方法において、一つの原料を供給するために、半導体層を作製する面に出射口を向けて設置された少なくとも二つのセルを同時に使用する。特に、これらの少なくとも二つのセルにおいて、互いに直径を異ならせる、あるいは軸心をウエハ表面の互いに異なる位置に向けて設置する。 【選択図】図2 |
| 公开日期 | 2005-03-17 |
| 申请日期 | 2003-08-22 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/84700]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | FURUKAWA ELECTRIC CO LTD:THE |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | カシミルス·セティアグン,清水 均. 半導体層の作製方法及びそれを用いた半導体装置の製造方法. JP2005072208A. 2005-03-17. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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