窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
文献类型：专利
| 作者 | 幡 俊雄; 菅原 聰; 花岡 大介 |
| 发表日期 | 1999-01-22 |
| 专利号 | JP1999017272A |
| 著作权人 | シャープ株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子 |
| 英文摘要 | 【課題】 一回の成長にて電流狭窄型窒化ガリウム系化合物半導体レーザの作成を可能とし、従来技術の絶縁体膜の形成及び再成長技術を必要としない素子構造を提供する。 【解決手段】 所望領域が凹凸状に加工された基板と、該基板上方に形成されたノンドープ窒化ガリウム系化合物半導体層を備えた窒化ガリウム系化合物半導体発光素子であって、前記基板の凹凸状加工領域上方の前記ノンドープ窒化ガリウム系化合物半導体層の抵抗率と前記基板の凹凸状非加工領域上方の前記ノンドープ窒化ガリウム系化合物半導体層の抵抗率とが異なってなることによって上記課題を解決するものである。 |
| 公开日期 | 1999-01-22 |
| 申请日期 | 1997-06-27 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/84703]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | シャープ株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 幡 俊雄,菅原 聰,花岡 大介. 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子. JP1999017272A. 1999-01-22. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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