半導体発光装置とその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 玉村 好司 |
| 发表日期 | 1999-03-30 |
| 专利号 | JP1999087764A |
| 著作权人 | SONY CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体発光装置とその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 複雑な構造を有する歪み量子井戸半導体レーザー等の歪み半導体発光装置において、その積層半導体全体に対する歪みの影響の波及を抑制することができるようにする。 【解決手段】 化合物半導体基体1上に、少なくともバッファ層と、第1導電型の第1クラッド層3と、活性層4と、第2導電型の第2クラッド層5と、一方の電極がオーミックコンタクトされるキャップ層7とを有する積層半導体層が形成され、その活性層に歪みを導入した構成とし、バッファ層およびキャップ層の少なくとも一方に上記歪みを補償する歪みを導入する。 |
| 公开日期 | 1999-03-30 |
| 申请日期 | 1997-09-01 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/84710]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | SONY CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 玉村 好司. 半導体発光装置とその製造方法. JP1999087764A. 1999-03-30. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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