窒化物半導体レーザ素子
文献类型：专利
| 作者 | 岩佐 成人; 中村 修二 |
| 发表日期 | 2002-08-09 |
| 专利号 | JP3336599B2 |
| 著作权人 | 日亜化学工業株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 窒化物半導体レーザ素子 |
| 英文摘要 | 【目的】 窒化物半導体よりなるレーザ素子のしきい値電流を下げて室温での連続発振を目指す。 【構成】 基板上部に形成された活性層と、活性層上に形成されたリッジ形状のストライプを有する第1のp型クラッド層とを有し、その第1のp型クラッド層のストライプ側面に、活性層および第1のp型クラッド層よりも屈折率の小さい窒化物半導体よりなる埋め込み層が形成されているので、実効屈折率導波型のレーザ素子ができるため、閾値電流が下がり、さらに単一モードのレーザ光が得られる。 |
| 公开日期 | 2002-10-21 |
| 申请日期 | 1996-03-11 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/84711]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日亜化学工業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 岩佐 成人,中村 修二. 窒化物半導体レーザ素子. JP3336599B2. 2002-08-09. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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