半導体レーザ装置
文献类型：专利
| 作者 | 乙間 広己; 植木 伸明; 福永 秀樹; 中山 秀生; 瀬古 保次; 布施 マリオ |
| 发表日期 | 1996-03-22 |
| 专利号 | JP1996078776A |
| 著作权人 | FUJI XEROX CO LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置 |
| 英文摘要 | 【目的】 Si不純物拡散による混晶化技術を利用したAlGaInP埋めこみ型レーザに生じる漏れ電流を抑制し、低閾値、高効率半導体レーザ装置を提供すること。 【構成】 半導体基板102上にn型クラッド層105と量子井戸活性層106とp型クラッド層107と中間層109の半導体層を順次積層させ、中間層109上のある領域の一部にコンタクト層113を形成し、中間層109上からSiを拡散させ、コンタクト層113とコンタクト層下部の半導体層を除く領域を混晶化させた半導体レーザ装置において、コンタクト層113、および、中間層109は、n型半導体層であるか、または、非導電性の半導体層であり、かつ、コンタクト層113上からZnを拡散させて形成されたp型低抵抗領域が、Siによる混晶化領域と重ならないように配置されている。 |
| 公开日期 | 1996-03-22 |
| 申请日期 | 1994-09-06 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/84723]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | FUJI XEROX CO LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 乙間 広己,植木 伸明,福永 秀樹,等. 半導体レーザ装置. JP1996078776A. 1996-03-22. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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