III族窒化物半導体およびpn接合ダイオードの製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 松山 秀昭; 松井 俊之; 鈴木 健; 北村 祥司; 上條 洋 |
| 发表日期 | 1997-10-03 |
| 专利号 | JP1997260290A |
| 著作权人 | FUJI ELECTRIC CO LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | III族窒化物半導体およびpn接合ダイオードの製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】レーザダイオードの共振面に適する劈開性の強い(0001)面を表面とするp型のIII族窒化物半導体膜を製造し、さらにその半導体を用いたpn接合ダイオードを製造する。 【解決手段】GaAsの(111)面を表面とする単結晶基板上にマグネトロンスパッタ法によりZn0層を形成して格子不整合緩和のためのバッファ層とすることにより、p型のIII族窒化物膜が得られる。このp型膜と、GaAs基板上に直接成長させたn型III族窒化物膜とにより、pn接合ダイオードが容易に形成できる。 |
| 公开日期 | 1997-10-03 |
| 申请日期 | 1996-03-21 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/84731]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | FUJI ELECTRIC CO LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 松山 秀昭,松井 俊之,鈴木 健,等. III族窒化物半導体およびpn接合ダイオードの製造方法. JP1997260290A. 1997-10-03. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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