光半導体装置
文献类型：专利
| 作者 | 倉掛 博英; 藤井 卓也; 東 敏生 |
| 发表日期 | 1998-07-31 |
| 专利号 | JP1998200193A |
| 著作权人 | FUJITSU LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 光半導体装置 |
| 英文摘要 | 【課題】 光通信システム等の光源に用いる光半導体装置に関し、電気信号応答特性を劣化することなく閾値電流の温度依存性を抑制できる光半導体装置を提供する。 【解決手段】 第1のクラッド層と、第2のクラッド層と、第1のクラッド層及び第2のクラッド層の間に設けられた活性層とを有する光半導体装置において、第1のクラッド層12と第2のクラッド層26との間に、活性層16よりバンドギャップが狭く、発振に寄与する利得をもたないナローギャップ層18を設ける。 |
| 公开日期 | 1998-07-31 |
| 申请日期 | 1997-01-08 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/84732]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | FUJITSU LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 倉掛 博英,藤井 卓也,東 敏生. 光半導体装置. JP1998200193A. 1998-07-31. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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