半導体発光素子およびその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 佐々井 洋一; 上山 智; 齋藤 徹; 辻村 歩; 西川 孝司; 横川 俊哉 |
| 发表日期 | 1998-11-13 |
| 专利号 | JP1998303514A |
| 著作权人 | MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体発光素子およびその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 低電圧駆動のZnSe系半導体レーザを提供する。 【解決手段】 半導体レーザは、n型GaAs基板1上にZnSSeバッファ層3、n型ZnMgSSeクラッド層4、ZnCdSe活性層6、p型ZnMgSSeクラッド層8、p型ZnSSe層9、p型ZnSSe層10、p型ZnTe層12を具備している。p型ZnSSe層10とp型ZnTe層12との間に中間層11を形成する。その中間層11は相隣り合う半導体層に対して、価電子帯のバンドオフセットが0.3eV以下の半導体で、例えば組成の異なる多層のp型ZnSeTe系半導体層からなる構成としている。これにより、価電子帯でのバンドオフセットが小さくなり、半導体レーザの低電圧駆動が達成できる。 |
| 公开日期 | 1998-11-13 |
| 申请日期 | 1997-08-05 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/84736]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 佐々井 洋一,上山 智,齋藤 徹,等. 半導体発光素子およびその製造方法. JP1998303514A. 1998-11-13. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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