半導体レーザの製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 元田 隆; 加藤 学 |
| 发表日期 | 2004-11-26 |
| 专利号 | JP3621155B2 |
| 著作权人 | 三菱電機株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半導体レーザの製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 リッジの加工精度を容易に向上させるとともに、電流の横方向の広がりを抑制して低しきい値化,および高出力化を図ることができる半導体レーザの製造方法,及び半導体レーザを提供する。 【構成】 半導体基板1の(100)面上に、〔011〕方向に伸びるストライプ状の開口部を有する選択マスク2を形成し、これをマスクとしてバッファ層3,n型クラッド層4,活性層5,p型クラッド層6,バンド不連続緩和層7,キャップ層8を順次選択成長させて、ストライプ幅方向の断面が順メサ形状で、ストライプ長方向の断面が左右対称な六角形であるリッジ50を形成する。 |
| 公开日期 | 2005-02-16 |
| 申请日期 | 1995-06-14 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/84745]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三菱電機株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 元田 隆,加藤 学. 半導体レーザの製造方法. JP3621155B2. 2004-11-26. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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