半導体発光装置とその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 玉村 好司; 小沢 正文 |
| 发表日期 | 1997-09-19 |
| 专利号 | JP1997246655A |
| 著作权人 | SONY CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体発光装置とその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 電流狭窄層に開口を形成する工程の介入による半導体層間の界面の結晶性の低下を回避し、発光特性の向上、長寿命化をはかる。 【解決手段】 基板1上に、少なくとも第1導電型のクラッド層5と、活性層7と、第2導電型のクラッド層9と、電流通路を挟んでその両側に配置される電流狭窄層10との各化合物半導体層を有してなる半導体発光装置において、その電流狭窄層10が、互いに組成を異にする下地化合物半導体薄膜層11とこれの上に形成された主たる電流狭窄層を構成する上層化合物半導体層12とよりなる構成とする。 |
| 公开日期 | 1997-09-19 |
| 申请日期 | 1996-03-01 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/84747]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | SONY CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 玉村 好司,小沢 正文. 半導体発光装置とその製造方法. JP1997246655A. 1997-09-19. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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