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半導体発光装置およびその製造方法

文献类型:专利

作者松本 信一; 野口 悦男
发表日期1995-01-17
专利号JP1995015089A
著作权人日本電信電話株式会社
国家日本
文献子类发明申请
其他题名半導体発光装置およびその製造方法
英文摘要【目的】 Znの選択拡散を用いて電極領域を形成する際に電流阻止層の品質が損なわれない構造の半導体発光装置を提供する。 【構成】 半導体発光装置は、第1の導電型を有する半導体基板1上に、第1の導電型を有するクラッド層7、活性層9、および第2の導電型を有するクラッド層8を含む第1の積層体20をストライプ状に加工したメサストライプ10を配置し、このメサストライプの両わきにドーピングされたInP半導体層からなる半絶縁性高抵抗層を配置する。さらに、少なくともメサストライプよりも幅が広く、一部が第2の導電型であるInP層を含む第2の積層体21をメサストライプの上面において、メサストライプに沿って溝22を介して配置する。
公开日期1995-01-17
申请日期1993-06-21
状态失效
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/84752]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位日本電信電話株式会社
推荐引用方式
GB/T 7714
松本 信一,野口 悦男. 半導体発光装置およびその製造方法. JP1995015089A. 1995-01-17.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

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