半導体レーザの製造方法及び半導体レーザ
文献类型：专利
| 作者 | 福久 敏哉; 萬濃 正也; 古川 秀利 |
| 发表日期 | 2006-10-19 |
| 专利号 | JP2006287055A |
| 著作权人 | MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザの製造方法及び半導体レーザ |
| 英文摘要 | 【課題】 製造工程中に電流狭窄層の組成管理を確実に行い、安定したレーザ光の発振を可能とする半導体レーザを提供する。 【解決手段】 活性層の上にクラッド層と電流狭窄層とを順次積層形成することでリッジストライプ構造の半導体レーザを製造する製造方法であって、前記電流狭窄層の形成工程において、間接遷移型化合物半導体を主成分として第1の層を形成し、その上に直接遷移型化合物半導体を主成分として第2の層を形成して、前記第2の層の形成後には、外部より前記直接遷移型化合物半導体を励起させて前記第2の層から発せられる光学的特性を検査する検査工程を行う製造方法を用い、それによって得られる高出力で高精度なレーザ発振を可能とする半導体レーザの構成とする。 【選択図】図1 |
| 公开日期 | 2006-10-19 |
| 申请日期 | 2005-04-01 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/84769]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 福久 敏哉,萬濃 正也,古川 秀利. 半導体レーザの製造方法及び半導体レーザ. JP2006287055A. 2006-10-19. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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