半導体発光素子
文献类型：专利
| 作者 | 山本 基幸 |
| 发表日期 | 1993-06-18 |
| 专利号 | JP1993152685A |
| 著作权人 | TOSHIBA CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体発光素子 |
| 英文摘要 | 【目的】 III-V 族基板上に発光層とこの発光層の両側にp形,n形光閉じ込め層を有するInGaAlP系半導体発光素子において、発光層に至るまでp形不純物イオン量を変えた打ち込みを行い、熱処理することによって、発光層の原子配列をかえそれぞれ異なる発振波長を短波長側に制御し得る半導体発光素子を集積化した多波長半導体発光素子アレイを提供することにある。 【構成】 MOCVD成長法でGaAs基板上にInGaAlP系n形クラッド層,アンドープInGaP発光層,p形InGaAlPクラッド層,n形GaAs層を連続成長後、n形GaAsの一部を幅5μmのストライプ状に除去した部分にZnイオンの量を変え加速電圧1MeVで発光層まで注入し、MOCVDでp形GaAs層を成長させ同一基板上に素子間隔を100μmとした多波長半導体発光素子アレイ。 【効果】 イオン注入量を変え注入後、熱処理して発光層の禁制帯幅を大きくすることにより閾値電流が58,60,65mAで発振波長680,675,670nmの可視光半導体発光素子を得た。 |
| 公开日期 | 1993-06-18 |
| 申请日期 | 1991-12-02 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/84782]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | TOSHIBA CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 山本 基幸. 半導体発光素子. JP1993152685A. 1993-06-18. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。