半導体レーザ素子の製造方法および半導体レーザ装置
文献类型：专利
| 作者 | 宮内 伸幸 |
| 发表日期 | 1998-09-11 |
| 专利号 | JP1998242583A |
| 著作权人 | シャープ株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ素子の製造方法および半導体レーザ装置 |
| 英文摘要 | 【課題】 信頼性を低下させることなくダイボンディングの際の電気的短絡状態を防ぐ。 【解決手段】 半導体レーザ素子1が半導体積層構造側をサブマウント3側に配し、かつ、ろう材2を介してサブマウント3上にダイボンディングされている。半導体積層構造のレーザ出射端面と垂直な側面は、活性層4を含むpn接合部を露出させるまでライン状にエッチングされている。エッチングにより露出した結晶面10a、10bには絶縁膜11がコーティングされている。 |
| 公开日期 | 1998-09-11 |
| 申请日期 | 1997-02-27 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/84788]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | シャープ株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 宮内 伸幸. 半導体レーザ素子の製造方法および半導体レーザ装置. JP1998242583A. 1998-09-11. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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