Structure and method for asymmetric waveguide nitride laser diode
文献类型：专利
| 作者 | VAN DE WALLE, CHRISTIAN G.; BOUR, DAVID P.; KNEISSL, MICHAEL A.; ROMANO, LINDA T. |
| 发表日期 | 2002-08-06 |
| 专利号 | US6430202 |
| 著作权人 | XEROX CORPORATION |
| 国家 | 美国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | Structure and method for asymmetric waveguide nitride laser diode |
| 英文摘要 | A structure and method for an asymmetric waveguide nitride laser diode without need of a p-type waveguide is disclosed. The need for a high aluminum tunnel barrier layer in the laser is avoided. |
| 公开日期 | 2002-08-06 |
| 申请日期 | 1999-04-09 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/84801]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | XEROX CORPORATION |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | VAN DE WALLE, CHRISTIAN G.,BOUR, DAVID P.,KNEISSL, MICHAEL A.,et al. Structure and method for asymmetric waveguide nitride laser diode. US6430202. 2002-08-06. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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