半導体レーザ、半導体レーザの製造方法および評価装置
文献类型：专利
| 作者 | 吉田 保明; 冨田 信之; 竹見 政義; 多田 仁史 |
| 发表日期 | 2007-07-19 |
| 专利号 | JP2007184556A |
| 著作权人 | MITSUBISHI ELECTRIC CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ、半導体レーザの製造方法および評価装置 |
| 英文摘要 | 【課題】基板をエッチングせずに発光光を観察して不良解析を行える半導体レーザを提供する。また、ウェハ状態で特性の良否判定を行う半導体レーザの製造方法と評価装置を提供する。 【解決手段】GaN基板4の表面には、第一導電型GaNバッファ層5、第一導電型AlGaNクラッド層6、第一導電型GaN光ガイド層7、活性層8、第二導電型AlGaN電子障壁層3、第二導電型GaN光ガイド層9、第二導電型AlGaNクラッド層10および第二導電型GaNコンタクト層11が順次積層されている。第二導電型クラッド層10は、第一の第二導電型クラッド層1と第二の第二導電型クラッド層2からなり、第二の第二導電型クラッド層2はリッジ部を形成する。GaN基板4の裏面側に形成された第一導電型電極17には、GaN基板4上のリッジストライプ12に対応する位置に第一開口部18が設けられている。 【選択図】図1 |
| 公开日期 | 2007-07-19 |
| 申请日期 | 2006-11-21 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/84806]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | MITSUBISHI ELECTRIC CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 吉田 保明,冨田 信之,竹見 政義,等. 半導体レーザ、半導体レーザの製造方法および評価装置. JP2007184556A. 2007-07-19. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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