半導体発光素子およびその製造方法ならびに光装置
文献类型：专利
| 作者 | 長井 政春; 青木 徹; 畑中 義式; 石橋 晃 |
| 发表日期 | 1998-12-08 |
| 专利号 | JP1998326941A |
| 著作权人 | ソニー株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体発光素子およびその製造方法ならびに光装置 |
| 英文摘要 | 【課題】 容易に動作電圧を低下させることができる半導体発光素子およびその製造方法ならびに光装置を提供する。 【解決手段】 n型の基板1の上にn型クラッド層5,第1のガイド層6,活性層7,第2のガイド層8およびp型クラッド層9,第1の半導体層10,ZnSeよりなる第2の半導体層11を順次積層し、その上にNa2 Seよりなるアルカリ化合物層を形成する。次いで、エキシマレーザービームを照射して加熱処理し、第2の半導体層11の一部とアルカリ化合物層の少なくとも一部を変化させてコンタクト層12を形成する。続いて、コンタクト層12の上にp側電極14を形成する。コンタクト層12は、p型不純物としてアルカリ金属を含み、電気抵抗が低くなっている。よって、動作電圧が低くなり、少ない電力で動作させることができ、寿命を延長できる。 |
| 公开日期 | 1998-12-08 |
| 申请日期 | 1997-09-11 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/84807]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | ソニー株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 長井 政春,青木 徹,畑中 義式,等. 半導体発光素子およびその製造方法ならびに光装置. JP1998326941A. 1998-12-08. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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