半導体発光装置
文献类型：专利
| 作者 | パーブルップ·ピーター; 石川 正行; 西川 幸江; ジョン·レニー; 波多腰 玄一 |
| 发表日期 | 1996-04-02 |
| 专利号 | JP1996088405A |
| 著作权人 | TOSHIBA CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体発光装置 |
| 英文摘要 | 【目的】 II-VI属化合物半導体系の半導体発光素子の発熱を抑制すること。 【構成】n型GaAs基板2上に設けられたZnx Cd1-x Se活性層6と、この活性層6上に設けられ、中央に開口部を有するn型CdZnMgSe電流狭窄層10と、この電流狭窄層10の上面に設けられたp型ZnSx Te1-x 電流狭窄保護層11と、電流狭窄層10の開口部を充填し、かつ電流狭窄保護層11の全面を覆う表面が平坦なp型ZnSe過成長層12、ZnSe/ZnTe超格子層13と、この超格子層13に設けられたp側電極14と、n型GaAs基板2に設けられたn側電極1とを備えている。 |
| 公开日期 | 1996-04-02 |
| 申请日期 | 1994-09-17 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/84811]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | TOSHIBA CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | パーブルップ·ピーター,石川 正行,西川 幸江,等. 半導体発光装置. JP1996088405A. 1996-04-02. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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