半導体をその基板から分離する方法
文献类型：专利
| 作者 | リン ウェンユィ; ホアン シウチョン; トゥ ポーミン; スゥ チウポン; チャン シウスーウン |
| 发表日期 | 2009-11-19 |
| 专利号 | JP2009270200A |
| 著作权人 | アドヴァンスト オプトエレクトロニック テクノロジー インコーポレイテッド |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体をその基板から分離する方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 本発明の目的は半導体をその基板から分離する方法を提供することである。 【解決手段】 複数の棒状体を基板上に形成し、複数の棒状体上で半導体層をエピタキシー成長させ、更に、複数の棒状体の間の空隙にエッチング液を注入することによって、半導体層をその基板から分離する。複数の棒状体の間の空隙がエッチングの反応面積を大幅に増加させることができるため、本発明による方法によれば、エッチングによって半導体層を基板から分離する効率を向上させ、製造工程のコストを低減させることができ、しかも、基板に使われる材料も前記分離方法に制限されない。 【選択図】図9 |
| 公开日期 | 2009-11-19 |
| 申请日期 | 2009-05-08 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/84813]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | アドヴァンスト オプトエレクトロニック テクノロジー インコーポレイテッド |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | リン ウェンユィ,ホアン シウチョン,トゥ ポーミン,等. 半導体をその基板から分離する方法. JP2009270200A. 2009-11-19. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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