半導体レーザ
文献类型：专利
| 作者 | 石田 明広; 藤安 洋; 櫻井 伸弘; 相川 和則 |
| 发表日期 | 1996-02-06 |
| 专利号 | JP1996037337A |
| 著作权人 | 浜松ホトニクス株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ |
| 英文摘要 | 【目的】 IV-VI族化合物半導体を用いた赤外発光レーザを提供する。 【構成】 活性層4はIV-IV族化合物半導体を含む井戸層とIV-IV族化合物半導体およびアルカリ土類金属を含む混晶半導体からなるバリア層とを有する。井戸数は10である。クラッド層2,6は、IV-IV族化合物半導体およびアルカリ土類金属を含む混晶半導体を有する。このレーザは、255Kにおいても発振する。 |
| 公开日期 | 1996-02-06 |
| 申请日期 | 1994-07-25 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/84816]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 浜松ホトニクス株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 石田 明広,藤安 洋,櫻井 伸弘,等. 半導体レーザ. JP1996037337A. 1996-02-06. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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